Composés organométalliques précurseurs de carbure et de nitrure de vanadium par dépôt chimique en phase vapeur / Cyr-Athis, Olivier  

Public ISBD Titre : Composés organométalliques précurseurs de carbure et de nitrure de vanadium par dépôt chimique en phase vapeur Titre original : Organometallic compounds precursors of vanadium carbide and nitride by chemical vapor deposition Type de document : texte imprimé Auteurs : Cyr-Athis, Olivier, Auteur ; Choukroun, Robert, Directeur de thèse Année de publication : 1994 Langues : Français (fre) Tags : VANADIUM-COMPOSES  DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR  COMPOSES ORGANOMÉTALLIQUES VANADIUM COMPOUNDS  CHEMICAL VAPOR DEPOSITION  ORGANOMETALLIC COMPOUNDS Résumé : "Jusqu'à présent l'obtention des céramiques carbure et nitrure de vanadium, par dépôt chimique en phase vapeur, nécessitaient l'utilisation de hautes températures (de l'ordre de 1000c). L'emploi de précurseurs organométalliques permet de diminuer fortement ces températures. Dans ce cadre, notre travail consiste à vérifier la faisabilité de films de nitrure ou de carbure de vanadium à partir de différents composés choisis selon des critères prédéfinis. Pour chacun des composés: nous rappelons la mise au point de la synthèse; nous faisons l'étude thermique par analyse thermique gravimétrique et différentielle à la fois à pression atmosphérique et à pression réduite; les dépôts sont faits dans un appareillage à mur chaud sous gaz vecteur neutre (azote), à pression réduite et pour des températures inférieures ou égales à 600c; les dépôts obtenus sont caractérisés en microscopie électronique à balayage, en spectrométrie de dispersion d’énergie et en spectrométrie des photoélectrons induits par rayons X. A la suite d'une étude sur neuf composés du vanadium, certains n'ont pas donné de resultats satisfaisants dans nos conditions expérimentales : le vanadocène (pas de dépôts a moins de 600c); le dichlorovanadocene, le dichloro bis (methylcyclopentadienyl) vanadium, le trichloro (p-tolylimido) vanadium (dépôts de carbure de vanadium uniquement sur silicium); le tris bis(triméthylsilyl)amido vanadium (dépôts contenant du silicium, du carbone et du vanadium). Nous avons dégagé quelques composés comme le chloro bis(cyclopentadiényl) vanadium et l'azobenzène bis(cyclopentadiényl) vanadium le diméthyl bis (cyclopentadiényl) vanadium, le bis (tertiobutylcyclopentadienyl) vanadiums susceptibles d'être transférés en aval, a des laboratoires spécialisés en dépôt chimique en phase vapeur, afin de poursuivre leur étude en tant que précurseur de carbure ou de nitrure de vanadium." "Until now, obtaining vanadium carbide and nitride ceramics by chemical vapor deposition required the use of high temperatures (around 1000c). The use of organometallic precursors makes it possible to significantly reduce these temperatures. In this context, our work consists of verifying the feasibility of vanadium nitride or carbide films from different compounds chosen according to predefined criteria. For each of the compounds: we recall the development of the synthesis; we carry out the thermal study by gravimetric and differential thermal analysis at both atmospheric pressure and reduced pressure; the deposits are made in a hot wall apparatus under neutral vector gas (nitrogen), at reduced pressure and for temperatures less than or equal to 600c; the deposits obtained are characterized by scanning electron microscopy, energy dispersive spectrometry and X-ray induced photoelectron spectrometry. Following a study on nine vanadium compounds, some did not give satisfactory results under our experimental conditions: vanadocene (no deposits below 600c); dichlorovanadocene, dichloro bis (methylcyclopentadienyl) vanadium, trichloro (p-tolylimido) vanadium (vanadium carbide deposits only on silicon); tris bis (trimethylsilyl) amido vanadium (deposits containing silicon, carbon and vanadium). We have released some compounds such as chloro bis (cyclopentadienyl) vanadium and azobenzene bis (cyclopentadienyl) vanadium, dimethyl bis (cyclopentadienyl) vanadium, bis (tertiobutylcyclopentadienyl) vanadiums that could be transferred downstream to laboratories specialized in chemical vapor deposition, in order to continue their study as precursors of vanadium carbide or nitride." Document : Thèse de Doctorat Etablissement_delivrance : Université de Toulouse 3 Date_soutenance : 10/01/1994 Ecole_doctorale : Sciences de la Matière Domaine : Science des Matériaux Localisation : LCC En ligne : https://theses.fr/1994INPT021G Composés organométalliques précurseurs de carbure et de nitrure de vanadium par dépôt chimique en phase vapeur = Organometallic compounds precursors of vanadium carbide and nitride by chemical vapor deposition [texte imprimé] / Cyr-Athis, Olivier, Auteur ; Choukroun, Robert, Directeur de thèse . - 1994. Langues : Français (fre) Tags : VANADIUM-COMPOSES  DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR  COMPOSES ORGANOMÉTALLIQUES VANADIUM COMPOUNDS  CHEMICAL VAPOR DEPOSITION  ORGANOMETALLIC COMPOUNDS Résumé : "Jusqu'à présent l'obtention des céramiques carbure et nitrure de vanadium, par dépôt chimique en phase vapeur, nécessitaient l'utilisation de hautes températures (de l'ordre de 1000c). L'emploi de précurseurs organométalliques permet de diminuer fortement ces températures. Dans ce cadre, notre travail consiste à vérifier la faisabilité de films de nitrure ou de carbure de vanadium à partir de différents composés choisis selon des critères prédéfinis. Pour chacun des composés: nous rappelons la mise au point de la synthèse; nous faisons l'étude thermique par analyse thermique gravimétrique et différentielle à la fois à pression atmosphérique et à pression réduite; les dépôts sont faits dans un appareillage à mur chaud sous gaz vecteur neutre (azote), à pression réduite et pour des températures inférieures ou égales à 600c; les dépôts obtenus sont caractérisés en microscopie électronique à balayage, en spectrométrie de dispersion d’énergie et en spectrométrie des photoélectrons induits par rayons X. A la suite d'une étude sur neuf composés du vanadium, certains n'ont pas donné de resultats satisfaisants dans nos conditions expérimentales : le vanadocène (pas de dépôts a moins de 600c); le dichlorovanadocene, le dichloro bis (methylcyclopentadienyl) vanadium, le trichloro (p-tolylimido) vanadium (dépôts de carbure de vanadium uniquement sur silicium); le tris bis(triméthylsilyl)amido vanadium (dépôts contenant du silicium, du carbone et du vanadium). Nous avons dégagé quelques composés comme le chloro bis(cyclopentadiényl) vanadium et l'azobenzène bis(cyclopentadiényl) vanadium le diméthyl bis (cyclopentadiényl) vanadium, le bis (tertiobutylcyclopentadienyl) vanadiums susceptibles d'être transférés en aval, a des laboratoires spécialisés en dépôt chimique en phase vapeur, afin de poursuivre leur étude en tant que précurseur de carbure ou de nitrure de vanadium." "Until now, obtaining vanadium carbide and nitride ceramics by chemical vapor deposition required the use of high temperatures (around 1000c). The use of organometallic precursors makes it possible to significantly reduce these temperatures. In this context, our work consists of verifying the feasibility of vanadium nitride or carbide films from different compounds chosen according to predefined criteria. For each of the compounds: we recall the development of the synthesis; we carry out the thermal study by gravimetric and differential thermal analysis at both atmospheric pressure and reduced pressure; the deposits are made in a hot wall apparatus under neutral vector gas (nitrogen), at reduced pressure and for temperatures less than or equal to 600c; the deposits obtained are characterized by scanning electron microscopy, energy dispersive spectrometry and X-ray induced photoelectron spectrometry. Following a study on nine vanadium compounds, some did not give satisfactory results under our experimental conditions: vanadocene (no deposits below 600c); dichlorovanadocene, dichloro bis (methylcyclopentadienyl) vanadium, trichloro (p-tolylimido) vanadium (vanadium carbide deposits only on silicon); tris bis (trimethylsilyl) amido vanadium (deposits containing silicon, carbon and vanadium). We have released some compounds such as chloro bis (cyclopentadienyl) vanadium and azobenzene bis (cyclopentadienyl) vanadium, dimethyl bis (cyclopentadienyl) vanadium, bis (tertiobutylcyclopentadienyl) vanadiums that could be transferred downstream to laboratories specialized in chemical vapor deposition, in order to continue their study as precursors of vanadium carbide or nitride." Document : Thèse de Doctorat Etablissement_delivrance : Université de Toulouse 3 Date_soutenance : 10/01/1994 Ecole_doctorale : Sciences de la Matière Domaine : Science des Matériaux Localisation : LCC En ligne : https://theses.fr/1994INPT021G

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