Titre :	Revêtements durs et adhérents par dépôt chimique
Titre original :	Hard and adherent coatings by chemical vapour deposition
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Michel Ducarroir, Éditeur scientifique
Editeur :	Paris : Elsevier
Année de publication :	1998
Collection :	Annales de chimie, science des matériaux, ISSN 0151-9107 num. 23, 5-6
Importance :	p. 629-898
Format :	24 cm
Langues :	Français (fre) Anglais (eng)
Catégories :	Technologies, Méthodes, Réactions
Tags :	REVETEMENT DUR  DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR  HARD COATING  CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Index. décimale :	B-B
Note de contenu :	"* Précurseurs métallorganiques pour le dépôt chimique à partir d'une phase gazeuse de revêtements dans le système Ti-V-C-N * Problèmes spécifiques liés à la vaporisation des précurseurs organométalliques solides utilisés pour les dépôts dans le système V-C-N * Mécanisme de décomposition des composés M(NEt2)4(M = V, Cr) lors de leur utilisation comme mono source pour la croissance de films M-C-N par MOCVD * Dépôt de Cr à basse température par MOCVD : inhibition de l'incorporation du carbone * Dépôt chimique en phase vapeur à basse température de revêtements dans le système V-C-N à partir de bis(arene)vanadium * Prétraitements de nitruration compatibles avec les procédés MOCVD et PACVD : influence sur l'adhérence de revêtements céramiques sur acier."
Cote :	B-B145 (SdS)
Num_Inv :	2386

Revêtements durs et adhérents par dépôt chimique = Hard and adherent coatings by chemical vapour deposition [texte imprimé] / Michel Ducarroir, Éditeur scientifique . - Paris : Elsevier, 1998 . - p. 629-898 ; 24 cm. - (Annales de chimie, science des matériaux, ISSN 0151-9107; 23, 5-6) .
Langues : Français (fre) Anglais (eng)

Catégories :	Technologies, Méthodes, Réactions
Tags :	REVETEMENT DUR  DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR  HARD COATING  CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Index. décimale :	B-B
Note de contenu :	"* Précurseurs métallorganiques pour le dépôt chimique à partir d'une phase gazeuse de revêtements dans le système Ti-V-C-N * Problèmes spécifiques liés à la vaporisation des précurseurs organométalliques solides utilisés pour les dépôts dans le système V-C-N * Mécanisme de décomposition des composés M(NEt2)4(M = V, Cr) lors de leur utilisation comme mono source pour la croissance de films M-C-N par MOCVD * Dépôt de Cr à basse température par MOCVD : inhibition de l'incorporation du carbone * Dépôt chimique en phase vapeur à basse température de revêtements dans le système V-C-N à partir de bis(arene)vanadium * Prétraitements de nitruration compatibles avec les procédés MOCVD et PACVD : influence sur l'adhérence de revêtements céramiques sur acier."
Cote :	B-B145 (SdS)
Num_Inv :	2386