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'THIN FILMS' 
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Titre : An introduction to thin films Type de document : texte imprimé Auteurs : Maissel, L.I., Auteur ; Francombe, M. H., Auteur Editeur : New York : Gordon and Breach Année de publication : 1973 Importance : vii, 301 p. ISBN/ISSN/EAN : 978-0-677-02840-8 Langues : Anglais (eng) Catégories : Matériaux Tags : THIN FILMS Index. décimale : B-S Ancien fonds Cote : B-S284 Num_Inv : 513 Localisation : LCC (SdS) An introduction to thin films [texte imprimé] / Maissel, L.I., Auteur ; Francombe, M. H., Auteur . - New York : Gordon and Breach, 1973 . - vii, 301 p.
ISBN : 978-0-677-02840-8
Langues : Anglais (eng)
Catégories : Matériaux Tags : THIN FILMS Index. décimale : B-S Ancien fonds Cote : B-S284 Num_Inv : 513 Localisation : LCC (SdS) Exemplaires(1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 513 B-S284 Texte imprimé Bibliothèque Livre Disponible
Titre : Chemical vapor deposition : principles and applications Type de document : texte imprimé Auteurs : Michael L. Hitchman, Auteur ; Klavs F Jensen, Auteur Editeur : London : Academic Press Année de publication : 1993 Importance : v, 677 p. ISBN/ISSN/EAN : 978-0-12-349670-6 Langues : Anglais (eng) Tags : THIN FILMS Index. décimale : EQ -Equipe- Résumé : "This wide-ranging volume covers recent developments in the theoretical understanding of the chemistry and physics of chemical vapour deposition (CVD). Contributors are drawn from both academia and industry to achieve a balaced coverage of the subject. The volume emphasizes principles and understanding rather than details of specific materials or processes. Specific examples are given to illustrate the principles." Note de contenu : "Chemical vapour deposition-an overview.
Fundamentals of chemical vapour deposition.
Analysis of chemical vapor deposition processes.
Chemical vapor deposition at low pressures.
Silicon epitaxy by chemical vapor deposition.
Organometallic vapor phase epitaxy of III-V materials.
Plasma-assisted chemical and vapor deposition.
Photo-Assisted chemical vapor deposition.
Electronic and optical characterization of chemical vapor deposition films for device applications.
Protective coatings. Index."Cote : LCC/B Num_Inv : 1391 Chemical vapor deposition : principles and applications [texte imprimé] / Michael L. Hitchman, Auteur ; Klavs F Jensen, Auteur . - London : Academic Press, 1993 . - v, 677 p.
ISBN : 978-0-12-349670-6
Langues : Anglais (eng)
Tags : THIN FILMS Index. décimale : EQ -Equipe- Résumé : "This wide-ranging volume covers recent developments in the theoretical understanding of the chemistry and physics of chemical vapour deposition (CVD). Contributors are drawn from both academia and industry to achieve a balaced coverage of the subject. The volume emphasizes principles and understanding rather than details of specific materials or processes. Specific examples are given to illustrate the principles." Note de contenu : "Chemical vapour deposition-an overview.
Fundamentals of chemical vapour deposition.
Analysis of chemical vapor deposition processes.
Chemical vapor deposition at low pressures.
Silicon epitaxy by chemical vapor deposition.
Organometallic vapor phase epitaxy of III-V materials.
Plasma-assisted chemical and vapor deposition.
Photo-Assisted chemical vapor deposition.
Electronic and optical characterization of chemical vapor deposition films for device applications.
Protective coatings. Index."Cote : LCC/B Num_Inv : 1391 Exemplaires(1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 1391 LCC/B Texte imprimé Equipe Livre Equipe - Demande préalable
Disponible
Titre : Films minces et nanofils de matériaux moléculaires conducteurs et magnétiques Titre original : Thin films and nanowires of conducting and magnetic molecule-based materials Type de document : texte imprimé Auteurs : Casellas, Hélène, Auteur ; Valade, Lydie, Directeur de thèse Année de publication : 2002 Langues : Français (fre) Tags : MATÉRIAUX MOLÉCULAIRES DÉPÔT CHIMIQUE A PARTIR D'UNE PHASE GAZEUSE (CVD) ÉVAPORATION THERMIQUE SOUS ULTRA VIDE IMPRÉGNATION FILMS MINCES NANOFILS MAGNÉTISME CONDUCTIVITÉ ÉLECTRIQUE
MOLECULAR MATERIALS CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) ULTRA-HIGH VACUUM THERMAL EVAPORATION SOLUTION IMPREGNATION THIN FILMS NANOWIRES MAGNETISM ELECTRICAL CONDUCTIVITYRésumé : "Ce travail de thèse s'inscrit dans la dynamique actuelle de l'étude de la mise en forme des matériaux moléculaires et de leurs applications dans le domaine de la micro-électronique. Nous rapportons l'élaboration, par dépôt chimique à partir d'une phase gazeuse (CVD), évaporation thermique sous ultra vide ou imprégnation en solution, de films minces et de nanofils de matériaux moléculaires magnétiques et/ou conducteurs. Pour une adhérence correcte du dépôt à la surface du substrat (acier austénitique et silicium), nous avons optimisé les propriétés d'adsorption de ces derniers en procédant à un traitement spécifique de leur surface. L'utilisation de ces substrats modifiés, présentant une surface micro-rugueuse, permet d'améliorer de façon conséquente l'adhérence des films. Nous nous sommes consacrés à la mise en forme d'aimants moléculaires M(TCNE), par CVD (M = V, Cr et Nb). Les dépôts à base de V et de Cr présentent une aimantation spontanée à 300 K avec un champ coercitif de 60 Oe, et ceux du système Nb (TCNE), montrent une aimantation permanente à 2,5 K (champ coercitif de 200 Oe). Des études XANES et EXAFS des films de Cr (TCNE), ont montré que les atomes de Cr sont dans un environnement octaédrique irrégulier et distordu. Nous avons considéré les trois techniques précédemment citées pour mettre en forme les conducteurs moléculaires [TTF][TCNQ] et TTF[Ni(dmit)2]2. De façon inattendue, par imprégnation en solution des substrats micro-rugueux, les dépôts obtenus se présentent principalement sous forme de nanofils de plusieurs micromètres de longueur et de 20 à 150 nm de diamètre. Leur caractère conducteur a été mis en évidence. Les nanofils de TTF[Ni(dmit)2]2 ont été caractérisés par spectroscopie Raman.
Enfin, nous nous sommes intéressés à l'élaboration de films minces par CVD d'un nouveau système moléculaire où propriétés de conduction et propriétés magnétiques coexistent. Il s'agit du complexe à transfert de charge (TTF (OH)Tempo] [TCNQ]."
"This work deals with the investigation of the processing of the molecule-based materials in order to consider their potential applications. The elaboration of magnetic and/or conducting molecular materials as thin films and nanowires using chemical vapor deposition (CVD), high vacuum thermal evaporation or dipping techniques are considered. In order to prepare adherent films onto austenitic steel and silicon (001) substrates, we have improved the adsorption properties of these substrates by specific treatment of their surface. The use of these modified substrates, exhibiting micro-rough surface, allows to improve the anchoring of further deposits. The magnetic materials we have considered are the molecular M(TCNE), magnets. Various metallic Centre’s were studied: V, Cr and Nb. The V and Cr-based CVD-grown films display a spontaneous magnetisation at 300 K with a coercive field of 60 Oe, and those of the previously unreported Nb (TCNE), system evidence a permanent magnetisation at 2.5 K with a coercive filed of 200 Oe. XANES and EXAFS studies of Cr (TCNE), deposits have revealed that the Cr atoms are in a distorted and bent octahedral environment. We have used the three techniques mentioned above to process the molecular conductors [TTF][TCNQ] and TTF[Ni(dmit)2]2. Surprisingly, the dip-coating of the micro-rough substrates mainly leads to the formation of nanowires which are several micrometers long and have a diameter ranging from 20 to 150 nm. The conducting behaviour of these nanowires was evidenced. Raman spectroscopy studies were undertaken to characterise the TTF[Ni(dmit)2]2 nanowires Finally, we have focused on the elaboration of CVD-grown thin films of a new molecular charge transfer complex [TTF-(OH)Tempo] [TCNQ]. The interest of this system rests upon its bi-functionality resulting from coexistence of magnetic and conducting properties."
Document : Thèse de Doctorat Etablissement_delivrance : Université de Toulouse 3 Date_soutenance : 12/07/2002 Domaine : Matériaux Moléculaires Localisation : LCC En ligne : http://www.theses.fr/2002TOU30078 Films minces et nanofils de matériaux moléculaires conducteurs et magnétiques = Thin films and nanowires of conducting and magnetic molecule-based materials [texte imprimé] / Casellas, Hélène, Auteur ; Valade, Lydie, Directeur de thèse . - 2002.
Langues : Français (fre)
Tags : MATÉRIAUX MOLÉCULAIRES DÉPÔT CHIMIQUE A PARTIR D'UNE PHASE GAZEUSE (CVD) ÉVAPORATION THERMIQUE SOUS ULTRA VIDE IMPRÉGNATION FILMS MINCES NANOFILS MAGNÉTISME CONDUCTIVITÉ ÉLECTRIQUE
MOLECULAR MATERIALS CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) ULTRA-HIGH VACUUM THERMAL EVAPORATION SOLUTION IMPREGNATION THIN FILMS NANOWIRES MAGNETISM ELECTRICAL CONDUCTIVITYRésumé : "Ce travail de thèse s'inscrit dans la dynamique actuelle de l'étude de la mise en forme des matériaux moléculaires et de leurs applications dans le domaine de la micro-électronique. Nous rapportons l'élaboration, par dépôt chimique à partir d'une phase gazeuse (CVD), évaporation thermique sous ultra vide ou imprégnation en solution, de films minces et de nanofils de matériaux moléculaires magnétiques et/ou conducteurs. Pour une adhérence correcte du dépôt à la surface du substrat (acier austénitique et silicium), nous avons optimisé les propriétés d'adsorption de ces derniers en procédant à un traitement spécifique de leur surface. L'utilisation de ces substrats modifiés, présentant une surface micro-rugueuse, permet d'améliorer de façon conséquente l'adhérence des films. Nous nous sommes consacrés à la mise en forme d'aimants moléculaires M(TCNE), par CVD (M = V, Cr et Nb). Les dépôts à base de V et de Cr présentent une aimantation spontanée à 300 K avec un champ coercitif de 60 Oe, et ceux du système Nb (TCNE), montrent une aimantation permanente à 2,5 K (champ coercitif de 200 Oe). Des études XANES et EXAFS des films de Cr (TCNE), ont montré que les atomes de Cr sont dans un environnement octaédrique irrégulier et distordu. Nous avons considéré les trois techniques précédemment citées pour mettre en forme les conducteurs moléculaires [TTF][TCNQ] et TTF[Ni(dmit)2]2. De façon inattendue, par imprégnation en solution des substrats micro-rugueux, les dépôts obtenus se présentent principalement sous forme de nanofils de plusieurs micromètres de longueur et de 20 à 150 nm de diamètre. Leur caractère conducteur a été mis en évidence. Les nanofils de TTF[Ni(dmit)2]2 ont été caractérisés par spectroscopie Raman.
Enfin, nous nous sommes intéressés à l'élaboration de films minces par CVD d'un nouveau système moléculaire où propriétés de conduction et propriétés magnétiques coexistent. Il s'agit du complexe à transfert de charge (TTF (OH)Tempo] [TCNQ]."
"This work deals with the investigation of the processing of the molecule-based materials in order to consider their potential applications. The elaboration of magnetic and/or conducting molecular materials as thin films and nanowires using chemical vapor deposition (CVD), high vacuum thermal evaporation or dipping techniques are considered. In order to prepare adherent films onto austenitic steel and silicon (001) substrates, we have improved the adsorption properties of these substrates by specific treatment of their surface. The use of these modified substrates, exhibiting micro-rough surface, allows to improve the anchoring of further deposits. The magnetic materials we have considered are the molecular M(TCNE), magnets. Various metallic Centre’s were studied: V, Cr and Nb. The V and Cr-based CVD-grown films display a spontaneous magnetisation at 300 K with a coercive field of 60 Oe, and those of the previously unreported Nb (TCNE), system evidence a permanent magnetisation at 2.5 K with a coercive filed of 200 Oe. XANES and EXAFS studies of Cr (TCNE), deposits have revealed that the Cr atoms are in a distorted and bent octahedral environment. We have used the three techniques mentioned above to process the molecular conductors [TTF][TCNQ] and TTF[Ni(dmit)2]2. Surprisingly, the dip-coating of the micro-rough substrates mainly leads to the formation of nanowires which are several micrometers long and have a diameter ranging from 20 to 150 nm. The conducting behaviour of these nanowires was evidenced. Raman spectroscopy studies were undertaken to characterise the TTF[Ni(dmit)2]2 nanowires Finally, we have focused on the elaboration of CVD-grown thin films of a new molecular charge transfer complex [TTF-(OH)Tempo] [TCNQ]. The interest of this system rests upon its bi-functionality resulting from coexistence of magnetic and conducting properties."
Document : Thèse de Doctorat Etablissement_delivrance : Université de Toulouse 3 Date_soutenance : 12/07/2002 Domaine : Matériaux Moléculaires Localisation : LCC En ligne : http://www.theses.fr/2002TOU30078
Titre : Surfaces, interfaces, and thin films for microelectronics Type de document : texte imprimé Auteurs : Eugene A. Irene Editeur : Hoboken : Wiley Année de publication : 2008 Importance : xiii, 515 p. Format : 25 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-0-470-22478-6 Langues : Anglais (eng) Tags : SURFACE CHEMISTRY THIN FILMS MICROELECTRONICS-Materials Index. décimale : EQ -Equipe- Résumé : "Materials Science is predicated on the understanding of why materials behave in the way that they do. This set, consisting of Surfaces, Interfaces, and Films for Microelectronics and Electronic Materials Science by Eugene Irene introduces the reader to the field of materials science, providing extensive coverage of surfaces, interfaces and film fundamentals for microelectronics, as well as the physics and chemistry of microelectronics processing. Such information is designed to provide a basis for the understanding of existing microelectronic applications as well as to inform the design of new ones. Written by an expert with more than 25 years teaching experience in this field, this readily accessible set is appropriate as a primary text for undergraduate and graduate students and will also serve as a valuable resource to professionals who require self-study." Cote : LCC/L Num_Inv : 2860 Surfaces, interfaces, and thin films for microelectronics [texte imprimé] / Eugene A. Irene . - Hoboken : Wiley, 2008 . - xiii, 515 p. ; 25 cm.
ISBN : 978-0-470-22478-6
Langues : Anglais (eng)
Tags : SURFACE CHEMISTRY THIN FILMS MICROELECTRONICS-Materials Index. décimale : EQ -Equipe- Résumé : "Materials Science is predicated on the understanding of why materials behave in the way that they do. This set, consisting of Surfaces, Interfaces, and Films for Microelectronics and Electronic Materials Science by Eugene Irene introduces the reader to the field of materials science, providing extensive coverage of surfaces, interfaces and film fundamentals for microelectronics, as well as the physics and chemistry of microelectronics processing. Such information is designed to provide a basis for the understanding of existing microelectronic applications as well as to inform the design of new ones. Written by an expert with more than 25 years teaching experience in this field, this readily accessible set is appropriate as a primary text for undergraduate and graduate students and will also serve as a valuable resource to professionals who require self-study." Cote : LCC/L Num_Inv : 2860 Exemplaires(1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2860 LCC/L Texte imprimé Equipe Livre Equipe - Demande préalable
Disponible
Titre : The physics of micro/nano-fabrication Type de document : texte imprimé Auteurs : Ivor Brodie, Auteur ; Julius J. Muray, Auteur Editeur : New-York : Plenum Press Année de publication : 1992 Collection : Microdevices, ISSN 1058-188X Importance : xix, 650 p. ISBN/ISSN/EAN : 978-0-306-44146-2 Langues : Anglais (eng) Tags : THIN FILMS MICROELECTRONICS-Materials Index. décimale : EQ -Equipe- Résumé : "The authors provide a comprehensive overview of the tools, technologies, and physical models needed to understand, build, and analyze microdevices. Students, specialists within the field, and researchers in related fields will appreciate their unified presentation and extensive references." Note de contenu : "Microelectronic Devices * Planar Processing * Microanalysis * Microdevices * Particle Beams: Sources, Optics, and Interactions* Electron Sources * Ion Sources* Electron Guns * Components for Electron and Ion Optics * Electron Interactions* Ion Interactions * Photon Sources and Interactions* Photon Interactions* Plasmas: Physics and Chemistry * General Background* Collision Processes* Electron Motion in a Gas Discharge* Collective Phenomena in Plasmas* Radio Frequency Glow Discharges* Plasma Chemistry* Vacuum Physics* Layering Technologies* Epitaxy * Chemical Vapor Deposition (CVD)* Doping by Thermal Diffusion * Doping by Ion Implantation * Evaporation in Ultrahigh Vacuum * Cathodic Sputtering * Organic Layer Formation * Selective Layer Removal Technologies * Thickness and Rate Measurement * Laser-Assisted Processes * Electron-Beam-Assisted Processes * Ion-Beam-Assisted Processes * Nucleation and Growth in Layer Formation * Pattern Generation * Optical Lithography * The Physics of Photoresists * Projection Systems * Holographic Lithography * X-ray Lithography * Synchrotron Radiation for X-ray Lithography * Electron-Beam Lithography * Ion-Beam Lithography * Microcharacterization * Parallel Imaging * Serial (Scanning) Imaging * Limits to Nanofabrication * Limits for MOS Devices * Limits for Pattern Generation * Nanostructures" Cote : LCC/B Num_Inv : 1397 The physics of micro/nano-fabrication [texte imprimé] / Ivor Brodie, Auteur ; Julius J. Muray, Auteur . - New-York : Plenum Press, 1992 . - xix, 650 p.. - (Microdevices, ISSN 1058-188X) .
ISBN : 978-0-306-44146-2
Langues : Anglais (eng)
Tags : THIN FILMS MICROELECTRONICS-Materials Index. décimale : EQ -Equipe- Résumé : "The authors provide a comprehensive overview of the tools, technologies, and physical models needed to understand, build, and analyze microdevices. Students, specialists within the field, and researchers in related fields will appreciate their unified presentation and extensive references." Note de contenu : "Microelectronic Devices * Planar Processing * Microanalysis * Microdevices * Particle Beams: Sources, Optics, and Interactions* Electron Sources * Ion Sources* Electron Guns * Components for Electron and Ion Optics * Electron Interactions* Ion Interactions * Photon Sources and Interactions* Photon Interactions* Plasmas: Physics and Chemistry * General Background* Collision Processes* Electron Motion in a Gas Discharge* Collective Phenomena in Plasmas* Radio Frequency Glow Discharges* Plasma Chemistry* Vacuum Physics* Layering Technologies* Epitaxy * Chemical Vapor Deposition (CVD)* Doping by Thermal Diffusion * Doping by Ion Implantation * Evaporation in Ultrahigh Vacuum * Cathodic Sputtering * Organic Layer Formation * Selective Layer Removal Technologies * Thickness and Rate Measurement * Laser-Assisted Processes * Electron-Beam-Assisted Processes * Ion-Beam-Assisted Processes * Nucleation and Growth in Layer Formation * Pattern Generation * Optical Lithography * The Physics of Photoresists * Projection Systems * Holographic Lithography * X-ray Lithography * Synchrotron Radiation for X-ray Lithography * Electron-Beam Lithography * Ion-Beam Lithography * Microcharacterization * Parallel Imaging * Serial (Scanning) Imaging * Limits to Nanofabrication * Limits for MOS Devices * Limits for Pattern Generation * Nanostructures" Cote : LCC/B Num_Inv : 1397 Exemplaires(1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 1397 LCC/B Texte imprimé Equipe Livre Equipe - Demande préalable
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